ТКН стабилизации может быть отрицательным (у полупроводников с большой концентрацией примесей, малой толщиной перехода, где пробой происходит за счет туннельного эффекта) и положительным (в...
Тип: Сообщения; Пользователь: ecdv
ТКН стабилизации может быть отрицательным (у полупроводников с большой концентрацией примесей, малой толщиной перехода, где пробой происходит за счет туннельного эффекта) и положительным (в...
Oleg 9,Че то я маху дал. У Всех прошу пардон!
И у старухи бывает прореха.
А мне вот не понятна цепочка по питанию R10-VD2. Ток через диод 300мА - не многовато ли? Датыш говорит 150мА. Похоже сырая схемка - не считал ее никто, так просто от руки набросали. В базы однозначно...