Это лучшая схема, из тех которые я видел. Применение транзисторов предназначенных для импульсного режима плохой выбор. Дело в том, что в этих транзисторах имеется явление "лавинный пробой", которое выражается в том, что при высоких напряжениях, близких к предельным, резко снижается их допустимая мощность рассеяния. Например, при 12 вольтах 100 Вт, при 600 вольт может быть и 2 вт. Конкретно нужно смотреть график зависимости допустимой мощности рассеяния от напряжения, который не всегда приводится для импульсных транзисторов. Эти транзисторы рассеивают мощность в основном на фронтах переключения. Второй отрицательный фактор, это резкая зависимость коэффициента усиления от тока. При снижении тока до сотни миллиампер коэффициент усиления мощного транзистора старых технологий усиление по току стремится к нулю.
Полевые транзисторы лишены выше указанных недостатков.