В зависимости от типа применённого транзистора, возможно потребуется подать смещение на первый затвор.
Сделать это надо будет с резистивного делителя, нижний резистор котрого заблокирован по ВЧ ёмкостью. С делителя подать напряжение на первый затвор через резистор такой величины, чтобы получилась минимальная неравномерность в полосе пропускания ЭМФ. ( для типовых ЭМФов обычно или 20 или 100 кОм. ) Не забыть про разделительный конденсатор между ЭМФ и первым затвором.
Ну и по 2 му затвору Хиге выше писал и даже рисовал.