Уважаемые посетители! Форум CQHAM.RU существует исключительно за счет показа рекламы. Мы будем благодарны, если Вы не будете блокировать рекламу на нашем Форуме. Просим внести cqham.ru в список исключений для Вашего блокировщика рекламы.
Страница 167 из 179 ПерваяПервая ... 67117157164165166167168169170177 ... ПоследняяПоследняя
Показано с 1,661 по 1,670 из 1782

Тема: Конструирование PA на мощных транзисторах №1

  1. #1661
    ...чудовищное непонимание роли импульсов в огибающей сигнала даже комментировать эту чушь не буду.

    искажение формы огибающей и нелинейность транзистора братья навек..

    Че вы мне тыкаете в недонапряженный АВ вы смотрите кривую 1400ма все по закону =)
    вот и возвращаемся к постулату что у транзистора есть точка где ток покоя где все работает предсказуемо. А если нет такой точки то производтель просто умалчивает и все. Кому охота экстремумы функции показывать на графике неадекватно на минимальной мощности или не доходя до 1дб компрессии, чтоб потом программисты за голову хватались как же нормализовать предискажениями такое чудовище.
    Последний раз редактировалось RA1TEX; 04.04.2020 в 19:27.


  2. #1662
    Аватар для Евгений240
    Регистрация
    20.12.2009
    Адрес
    г. Ростов на Дону.
    Сообщений
    12,070
    Позывной
    RX6LAO
    Цитата Сообщение от r3kr Посмотреть сообщение
    Так вроде тема про мощные транзисторные усилители
    А по транзисторным усилителям, если в даташите нет указаний на ИМД, приблизительно оценить линейность транзистора, можно сравнив его H21 при разных токах. Понятно, что если это горб с максимумом на средних токах, как у КТ 909, то хорошего ИМД не жди.
    Если же, как у КТ 939 практически ровная линия, то всё в порядке.
    Миниатюры Миниатюры Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	001.jpg 
Просмотров:	18 
Размер:	65.8 Кб 
ID:	332552   Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	002.jpg 
Просмотров:	22 
Размер:	60.8 Кб 
ID:	332553  
    73. Евгений.

  3. Спасибо от RA1TEX

  4. #1663

    Регистрация
    22.02.2009
    Адрес
    Энгельс
    Сообщений
    10,745
    Позывной
    RK4CI
    Цитата Сообщение от RA1TEX Посмотреть сообщение
    Че вы мне тыкаете в недонапряженный АВ вы смотрите кривую 1400ма все по закону =)
    вот и возвращаемся к постулату что у транзистора есть точка где ток покоя где все ра
    Так посмотрите при токе покоя 2 А. Там на малых сигналах вообще класс А будет, и никакого намёка на кубическую зависимость. При токе покоя 1,4 А, всё достаточно красиво даже на малых сигналах, но опять таки, никакой кубической зависимости нет и здесь, зато достаточно близко к квадратичной.

  5. #1664

    Регистрация
    26.02.2004
    Адрес
    Николаев
    Сообщений
    9,320
    Позывной
    UR5ZQV
    Евгений240, Эти статические кривульки на ВЧ совсем другие будут. Там сложнее, модуль усиления по току зависит от частоты, и не совсем линейно (по разному для разных диапазонов), и по току тоже, но совсем по другому, так что для реального транзистора, с разбросами, даже если ИМД указан в даташите, один выход, измерить нелинейку после изготовления, если не устраивает, снижать режим или вводить ООС с уменьшением Кр.
    Александр. (Ex: RB5ZDR, UQ2GKQ)

  6. #1665
    Аватар для Евгений240
    Регистрация
    20.12.2009
    Адрес
    г. Ростов на Дону.
    Сообщений
    12,070
    Позывной
    RX6LAO
    ООС вводить в любом случае. Только вот при одинаковом уровне ООС, получаемая на выходе интермодуляция будет меньше с тем транзистором, у которого зависимость тока коллектора от Н21 меньше. Ведь эта зависимость как раз и определяет величину искажения импульса тока. Недаром ведь, если сравнить эти характеристики для сравнительно старых типов транзисторов и современных, сразу видно разницу в исходной линейности. Всё таки технологии на месте не стоят.
    Что касается частотных свойств, мы ведь говорим об уровне ИМД при одинаковых условиях.
    А то, что с ростом частоты ИМД скорее всего будет увеличиватся, во всяком случае в тех транзисторах которые мы применяем, думаю очевидно.
    73. Евгений.

  7. #1666
    Просто жесть !!!!!!!!!!!!!!!!
    Если сильно не косячить в усилителе то Imd зависит от прибора ! Самые лучшие по линейности лампы - это уже доказали ламповые души . Я без шуток с этим согласен 100 процентов Гу 74 и Гу 78 Б - самые линейные усилители ! Из мощных транзисторов нет лучших MRF150 ! Никакой глубины OОС этих параметров не добится!
    Последний раз редактировалось r3kr; 04.04.2020 в 21:20.

  8. #1667

    Регистрация
    05.04.2017
    Адрес
    Краснознаменск МО
    Сообщений
    63
    В чем суть жести?

  9. #1668
    Я бы очень хотел, что бы кто-то дал параметр - насколько нужно увеличить глубину обратной связи, ну, к примеру, уменьшить усиление в 2, 3 или 5 раз, и LDMOS в усилителе изменит IMD на сколько-нибудь db. Кто знает на сколько измениться IMD усилителя в каждой ситуации? Если у кого-то есть ответ на этот вопрос, то будет весьма полезно узнать что-то, кроме пустой болтовни.

    Цитата Сообщение от R3DL Посмотреть сообщение
    В чем суть жести?
    А жесть в том, словесная дуэль - это проще, чем реальная помощь радиолюбителям в понимании проблемы IMD.

  10. #1669

    Регистрация
    22.02.2009
    Адрес
    Энгельс
    Сообщений
    10,745
    Позывной
    RK4CI
    Цитата Сообщение от r3kr Посмотреть сообщение
    насколько нужно увеличить глубину обратной связи, ну, к примеру, уменьшить усиление в 2, 3 или 5 раз, и LDMOS в усилителе изменит IMD на сколько-нибудь db.
    Так смотря на каком участке усиления вы хотите получить улучшение ИМД. Ведь зачастую, производители заявляют мощность УМ практически максимально достижимую для телеграфного сигнала. Когда транзистор уже работает с ограничением усиления 3-6 дБ. И максимально достижимую мощность, и линейную разграничивать не торопятся. Зачастую наоборот, РЕР указывается более высокой, чем мощность в режиме телеграфа. Ведь в SSB, пик мощности достигается не слишком часто, средняя мощность уходящая в тепло, намного меньше, стало быть перекачка будет заметна только при измерении линейности, и этот параметр просто скромно умалчивается. Ну а если чётко разграничить мощность линейного усиления, и максимальную, то считается, что линейность улучшается примерно на глубину введённой ООС. Ввели отрицательную ООС уменьшив усиление на 10 дБ, почти настолько же улучшится линейность. Но например для тех же MRF 150, паспортное значение усиления на 30 мгГц 17 дБ. При усилении в 13 дБ, (20 раз по мощности), глубина ООС составит всего 4 дБ. Правда на НЧ диапазонах всё получается намного веселее. Увеличивается глубина ООС на 10 дБ и более, соответственно почти настолько же растёт и линейность. Конечно это справедливо для случая, когда основной нагрузкой для входного сигнала являются именно цепи ООС, а не просто резистора поглащающие входную мощность.
    Ну и если для изначально достаточно линейных транзисторов большую глубину ООС сделать проблематично, то у более современных СВЧ, своя проблема. Ведь глубокая ООС, хотя бы 10 дБ, предполагает что практически вся мощность рассеивается цепями ООС. И посмотрите что произойдёт, если КСВ по выходу хоть на короткое время превысит 3. ООС постарается обеспечить прежнее напряжение на выходе втрое подняв импульс тока, то есть втрое увеличив напряжение раскачки на затворах. Подобного, большинство современных СВЧ полевиков просто не выдержат. А ведь КСВ 2, считается вполне допустимой величиной для многих УМ. То есть, введение ООС резко ухудшает надёжность УМ. И производители предпочитают рассеивать излишки входной мощности не ООС, а простыми аттенюаторами на входе. Разменивать надёжность УМ, на увеличение линейности никто особо не торопится. И собственно правильно делают. Ведь если не стараться выжимать из УМ всю заявленную мощность, а работать только на линейном участке, начальная линейность многих СВЧ транзисторов, во всяком случае у тех для которых она нормируется, совсем неплохая.


  11. #1670
    Следуя великой силе обратной связи, попробуем применить ее в ламповом усилителе и получим чудо с большим IMD . Я думаю многие пытались так поступить . Но ничего не получилось . Ни одна промышленная конструкция на LDMOS транзисторе не имеет обратной связи . Там серьезные разработчики не считают ее полезной . Вы тут несколько страниц бились, на сколько каждый каскад ухудшает IMD . Никому и в голову не пришло , зачем все это безумное количество каскадов нужно ? Современный транзистор к примеру MRF101 имеет усиление почти 1000 раз и мощность выше 100 Вт в корпусе TO220. Задайте ему ток покоя такой ,чтоб ваш радиатор мог рассеивать и подайте сформированный сигнал, и все . Можно сразу цеплять антенну к стоку . Ну я предвижу, как начнут снова кричать , а где взять 50 вольт ! Сразу напишу, полно преобразователей с КПД выше 95 процентов . И преобразователь намного дешевле каскадов на старых транзисторах, которые теперь делают только китайцы.
    Посмотрите первые страницы этой ветки . Все кричали , что этого не может быть . Теперь кричат ,что IMD плохой . Может просто нет денег на транзисторы? Сделать лаб. работу, обозвать ее "Зависимость IMD от обратной связи в LDMOS усилителе", выложить такую работу , перевести ее на английский и, весь мир узнает о такой работе за считанные дни . Если нет денег, то я могу подарить транзистор , к примеру, MRF300 и даже в соавторы не попрошусь . Вот тут придет всемирное признание, я верю в Русскую науку.

  12. Спасибо от UC8U

Страница 167 из 179 ПерваяПервая ... 67117157164165166167168169170177 ... ПоследняяПоследняя

Информация о теме

Пользователи, просматривающие эту тему

Эту тему просматривают: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1)

Похожие темы

  1. Жестчение мощных генераторных ламп
    от alex.kozlov311 в разделе Усилители мощности
    Ответов: 276
    Последнее сообщение: 21.06.2020, 11:53
  2. Конструирование ШТЛ
    от Anvar в разделе Технический кабинет
    Ответов: 99
    Последнее сообщение: 01.11.2014, 01:28
  3. Вопросы конструирования PA на мощных лампах #2
    от UA6AP в разделе Усилители мощности
    Ответов: 4601
    Последнее сообщение: 28.12.2013, 16:49
  4. Конструирование корпуса УМ.
    от us5iuy в разделе КВ усилители
    Ответов: 5
    Последнее сообщение: 09.10.2010, 21:50
  5. Вопросы конструирования PA на мощных лампах
    от rv4lk в разделе Усилители мощности
    Ответов: 2724
    Последнее сообщение: 13.07.2009, 20:57

Ваши права

  • Вы не можете создавать новые темы
  • Вы не можете отвечать в темах
  • Вы не можете прикреплять вложения
  • Вы не можете редактировать свои сообщения
  •