Сообщение от gagar
А в аккумуляторе что менять при таком "раскладе" и "необходимости" ?? Так сделано и потому,что силовые транзисторы можно без прокладок крепить (а это самое лучшее решение в вопросе теплоотвода) ...даже,к "хорошему " корпусу.
Это как бы самоочевидно. Но проблема-то проистекает именно из-за неравномерности распределения тока по кристаллу из-за разных характеристик элементарных транзисторов. Если при полностью открытом канале ток более-менее равный, то в линейном, особенно при большой крутизне, те, кто откроются раньше, возьмут на себя всю нагрузку. Весьма вероятно, что с разрушением.
Смотрел на смартфоне, поэтому не увидел нижнюю часть. СПС.
Спасибо от DL8RCB
Не так черт страшен, как его малюют.
Там все "элементарные транзисторы" имеют очень близкие параметры. Все они сделаны за "один заход" по одной технологии на одной подложке. Тепловые режимы одинаковые. Не стОит лезть в структуру, ИМХО, надо рассматривать всю эту гирлянду как один транзистор.
Даже разные транзисторы из одной партии (импортные) как близнецы-братья имеют очень близкие параметры.
Насиловать, конечно, их не нужно. Не загонять в предельные режимы и все будет хорошо.
Исхожу из своего и не только опыта. Проверено не один раз. В линейном режиме они работают замечательно.
Последний раз редактировалось agn1; 29.09.2018 в 14:43.
Она даже на этом форуме лежит и потом ссылка на нее есть, и вот снова даю.
Спасибо от gagar
Увы, нет...
Темы электронных нагрузок, где такое применение мощных MOSFET очень распространено (в том числе и в "фирменной" аппаратуре именитых производителей), неоднократно обсуждались, например, на eevblog. С анализом схемотехники и режимов. Например, популярный IRFP250, в TO247, с рассеиваемой мощностью в номинальном режиме до 200W, в линейном режиме в электронных нагрузках используют не больше чем на 40W, после 50 уже часто выходит из строя. 300-ваттная (максимум) нагрузка - типично 8xIRFP250 (причем с не просто параллельно, а с индивидуальными токовыравнивающими каскадами на ОУ). Мелочь в TO220 - вряд ли стоит закладывать больше 10-15 ватт на корпус.Не загонять в предельные режимы и все будет хорошо.
Штучное и серийное изделие - это несколько разные вещи. Ну, народ наступал на эти грабли неоднократно. А китайцы, например, делают "нагрузки" и на 200 ватт с одним транзистором (тем же IRFP250). Как это работает - отдельная грустная тема. Кто в теме - знает, сколько можно в него "вдуть". А приличный линейный MOSFET стоит где-то порядка $25. Он, правда, мощнее восьми штук IRFP250. И каких-то телодвижений с токовыравниванием не требует...Исхожу из своего и не только опыта. Проверено не один раз. В линейном режиме они работают замечательно.
Нужно определиться с этими 200W!!!
Это рассеиваемая транзистором мощность через радиатор или управляемая (нагрузка) им!
P.S. Что касается "выгорания" наиболее чувствительных фрагментов, то менее чувствительные остаются и транзистор сохраняет работоспособность в "урезанном" режиме.
Остаюсь при своем мнении.
Как применял успешно полевые транзисторы в блоках питания, так и буду применять. Нравятся мне они. По многим параметрам биполярные проигрывают полевым.
В последнее время появилось довольно много "левых" транзисторов. Что мощных, что маломощных. Это отдельный разговор.
Ага. Некоторые вообще их без радиатора использую. Потом спрашивают, почему дым пошел?
Распугаете начинающих.
Да. И это ВСЕГДА так.
"Кто предупрежден - тот вооружен" (c)
Эти грабли давно исхожены вдоль и поперек.
Не всегда!
Если в даташит-е, то ДА! Если в изделии (его характеристика), в котором используется транзистор, то НЕТ!
Вот многие и путают.
Эту тему просматривают: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1)
Ваши права
