Намотка ШПТ

[Boxer]

Добрый день!
Подскажите, как правильно мотать ШПТ для транзисторного ум ?

Интересует именно как лучше мотать первичку каким проводом? Забитие окна шпт проводом, критерии.

[Леонид3]

Boxer, вот так:

[UT1LW]

Ну да, для 10-100Вт.

[Леонид3]

UT1LW, ТС не указал мощность, но спрашивал "как правильно", а "правильно" не зависит от мощности и если вы полагаете что для 10 Вт "и так сойдёт", то это ваше мнение, не более того.

[Boxer]

Мне основные критерии и правила намотки нужны. ЧТо можно и нужно делать а что нельзя...

[UT1LW]

вы полагаете что для 10 Вт "и так сойдёт"

Леонид, конечно не полагаю, но не уверен, что для 10Вт Вы такие используете. А не всяк из снимка усвоит критерии. С ув.

[Tadas]

Подскажите, как правильно мотать ШПТ для транзисторного ум ?
...
Мне основные критерии и правила намотки нужны.

Так почитайте описания транзисторных УМ. Там обычно достаточно подробно изложен процесс изготовления.

[Леонид3]

Boxer, критериев обмоток всего-то три:
1. Индуктивное сопротивление обмотки на 50 Ом на низшей частоте диапазона должно быть на порядок больше, т. е. ~500 Ом (если запамятовали, то вот формула R_L[Ом] = 2*Pi*F[МГц]*L[мкГн] );
2. Волновое сопротивление линий, из которых делается обмотки должно быть среднегеометрическим между входным и выходным сопротивлениями. В случае выходного трансформатора транзисторного УМ (обычно повышающего) R_лин = 50/n [Ом], где n--отношение числа витков выходной обмотки к числу витков первичной обмотки (чаще всего 3:1, иногда 2:1 или 4:1);
3. Обмотки надо выполнять отдельно каждую и соединять последовательно/параллельно, как на представленном выше фото. В этом случае не будет надобности во всяких "корректирующих" (исправляющих криворукость) конденсаторах.
Обмотки можно выполнить и из гибкого (многожильного) провода, намотав в качестве изоляции фторопластовую ленту (сантехническую ФУМ) до нужного диаметра и сверху чулок от кабеля. (Напомню формулу для подсчёта волнового сопротивления коаксиала R[Ом]=138/Корень(е))*lg(D[мм]/d[мм], где е -- относительная диэлектрическая проницаемость изоляции, D и d --​ диаметры экрана и центральной жилы.