Современные ВЧ транзисторы для выходного каскада УМ

[lamobot]

RU4PG, внутренний диод в силовых мосфетах никто не ставит, это паразитная структура в кристалле мосфета.

[Слушатель эфира]

Нравится аналогия с 6П45С - поставьте параллельно с ней комплектный демпферный диод в КВ усилитель, ничего в нем не меняя, и увидите столько "интересного"! Тоже самое и с транзисторами. Отгрызите на кристалле IRF диод от транзистора и он заработает на КВ! А вот с диодом это лотерея с низким КПД и большими тепловыми проблемами

Хорошо, лампа не может работать в обратной полярности по определению, но работает хорошо при этом в оконечнике. Транзистор с диодом отличается от лампы тем, что ток другого направления будет замыкаться диодом. Включим последовательно в цепь стока диод Шотки и исключим возможность протекания обратного тока. Будет аналог лампы?

Добавлено через 7 минут(ы):

Внутренний диод делают что-бы не ставить внешний!

Пишут, что этот диод получается автоматически в структуре. Видимо, чтобы его не было или блокировать его работу, надо другую внутреннюю структуру кристалла формировать, более сложную, не проверял.

[RU4PG]

внутренний диод в силовых мосфетах никто не ставит, это паразитная структура в кристалле мосфета.

И zener diode никто не формирует? А паразитный диод есть, только он не спасет при обратном токе зачастую равном максимальному рабочему. Хотя честно скажу, не часто вчитывался в то, какой диод доминирует в конкретном кристалле. А частенько изготовители передирая друг у друга, о многих тонкостях выпускаемых кристаллов скромно умалчивают. Поэтому канонически "чистый" power mosfet наверно существует только в учебнике.

[lamobot]

RU4PG, при чём тут зенер?

[RU4PG]

при чём тут зенер?

Когда стабилитрон в прямом направлении перестал быть диодом? И иногда они встречаются в кмопах. Вернее так пишут в пдф.

[DX888]

Ребят, большое всем спасибо за информацию, за личный опыт и технические знания. На всём этом, разработал вот такой вариант УМ.

1. Питание +13.8В
2. Транзисторы IRF510, в каждом плече по 2шт. Чтобы не влияли друг на друга - в цепи затвора резисторы по 3 Ом.
3. Чтобы ограничить скачки тока С-И в истоковые цепи - резисторы по 0.5 Ом
4. Ток покоя для каждого транзистора по 55-60мА
5. Входные конденсаторы С5, С6 уменьшил до 4.7нФ (везде обычно ставят 10 или 100). Уменьшением их ёмкости удалось уровнять усиление на НЧ диапазонах (когда было 10нФ на 80м существенно выше мощность была, чем на 20м)

Результаты моделирования - на скринах:


1. Выходная мощность на 80, 40 и 20м - примерно 20-25Вт
2. Постоянный ток в цепи С-И каждого транзистора 0.8-0.95А
3. Мощность рассеивания (тепловая) на каждом транзисторе 4.5-6Вт
4. Общий ток потребления УМ 3.5А
5. Коэффициенты искажений на выходе - на скринах (без ФНЧ). После ФНЧ, конечно будут почти к 0 сведены.

Анализ, мысли.

Паспортная мощность рассеивания IRF510-х 43Вт, в моделировании получилась 4-5Вт, то есть в 9-10 раз меньше предельно допустимой. Напряжение питания УМ 13.8В, а транзисторы рассчитаны на 100В С-И предел. Предельный ток IRF510-х, 5.6А, при моделировании получился 0.8-0.9А, что в 6-7 раз меньше предельного. То есть по идее, в таком режиме, в который я их загнал, они должны свободно выдерживать и повышенный КСВ и применение термопрокладок между фланцем и радиатором. То есть, УМ должен получится весьма надежным, даже без дополнительных средств защиты от перегрева и высокого КСВ.

Что скажете? Замечания, дополнения, исправления?

[RU4PG]

Радиатор с толстой подошвой (от 5 мм), 15-20 см2/Вт площадь, легкий наддув со стороны транзисторов, вертикальное расположение радиатора с платой и ребер радиатора.

[Oleg 9]

Пишут, что этот диод получается автоматически в структуре.

Именно так. Этот диод есть и в ВЧ транзисторах, есть и в RD16, только менее мощный. Если пустить через него 5 ампер, транзистор выйдет из строя. 1 ампер выдерживает без проблем. Желающие могут взять тестер и проверить в режиме прозвонки диодов, подключив - к стоку, а + к истоку .

[Tadas]

5. Коэффициенты искажений на выходе - на скринах (без ФНЧ). После ФНЧ, конечно будут почти к 0 сведены.

А какие будут интермодуляционные искажения ? Нормы на них довольно жёсткие, а фильтры никакие не помогут.

[Евгений240]

Предположительно L13, уменьшает ООС для компенсации потери усиления на ВЧ.

Ну почему же предположительно? Именно так и есть.

рискну вангануть что их обломало делать симметрию в цепи оос, ведь это доп. детальки. там жеж всё последовательно соединено.

А там и так всё симметрично. Симметричный выход с витка связи, подключен к симметричному входу усилителя.

Добавлено через 6 минут(ы):

Вопрос: зачем используют гирлянды параллельно включенных конденсаторов, а не один, на нужную ёмкость?

Тут даже две причины.
Параллельное соединение конденсаторов позволяет уменьшить их паразитную индуктивность.
И увеличить реактивную мощность.
Да и попробуйте найти СМД конденсатор большой ёмкости с хорошими параметрами на ВЧ.
Плюс к тому, включение различных по ёмкости конденсаторов, позволяет выровнять параметры во всей полосе.